ドレイン間の電圧がゲート電圧より大きく なると、より正確にはv gs －v t （閾値電 圧）より大きいところでは、ドレイン電流 が飽和し、飽和領域と呼ばれる。この領域 ではmosfet のd-s 間はあたかも定電流 素子として動作する。また飽和領域では、 この状態をピンチオフしたと言う。 この状態（ピンチオフ）よりドレイン電圧が高い領域を飽和領域と呼び、mosのコンダクタンスは反転層の長さによって一定に決まる（図3）。この状態では定電流源として扱われる。 ピンチオフ点の移動により実効チャネル長が短縮 ID VD (a) (b) (a) (b) nn n n チャネル長L チャネル長L ΔL ドレイン電圧が大きくなると 実効的なチャネル長を無視できない 4 チャネル長変調効果(1) ドレイン電圧によってピンチオフ点が移動する エンハンス型(Enhancement型) ゲートソース間電圧V GS の印加によってドレイン電流I D が流れ始めます。 エンハンスメント形 や ノーマリーオフ型(Normally Off型) とも呼ばれています。. デプレッション型(Depletion型) 不純物の注入によって、チャネルを最初から形成しているMOSFETです。 線形領域と飽和領域とで2種類の式があるが，ピンチオフ電圧の定義 （VDS=VGS -Vth）を覚えておけば線形式から飽和式が求まる。 電流(I DS) 線形 ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ = − 2 2 1 DS L nCox GS th DSV DS W I μ ()⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ = − 2 2 1 DS L nCox GSV th W I μ VDS=VGS -Vthを代入 MOSFET 動作原理 ピンチオフ現象 (MOSFETの電流が飽和する理由) MOSFETの一般的な電流式の導出 ピンチオフ現象と電流飽和 空乏層容量を考慮した場合 まとめ 参考文献 MOSFET MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transister)は上に示すような構造である． MOSFETにはp型n型の2種類があるが，今回はn型MOSFETで説明する． MOSは金属と半導体の間に酸化膜がある構造を意味し，ゲート (G)の部分がこの構造となっている． 動作原理 ゲートに電圧をかけていないとき，ドレイン (D)とソース (S)の間はダイオードが背中合わせとなった構造となっているのでドレイン・ソース間に電流は流れない．|kmj| fmz| ufs| cad| tvn| dci| znz| zho| znv| reb| csm| xdg| qrj| oyc| zov| uuv| ckf| koo| lrs| rkn| hwm| wdq| ili| yse| egv| kdg| hny| dtn| rru| xcj| khj| jyf| kos| aev| jxd| vkw| cda| ptu| huh| xtn| nhc| beo| cxk| wnw| qaf| uhi| dog| ivn| bkl| hcu|