光照射 による，バンドギャップ間の電子励起自体は固体バルクで起き るが，光触媒作用は固体と液体（または気体）との界面で起き るため，本協会誌の学術的対象に近い。 さらに実用の観点から は，半導体光触媒は安価で扱いやすい。 このため，本稿では半 導体光触媒を対象に取り上げ，その触媒作用について理解する ための分析例を紹介する。 2．酸化チタンの紫外可視光吸収の解析 酸化チタン（TiO 2）には，比較的低温で安定なアナターゼ型 および比較的高温で安定なルチル型，その他の結晶型が知られ ている。 バンドギャップ値はアナターゼ型およびルチル型でそ れぞれ3.2および3.0 eVであるから，波長に換算すると387およ び413 nmに相当する。 紫外光と可視光との境界付近の波長で あり，このためTiO 半導体のバンドギャップを（αhν）2－hνプロット（直接遷移） あるいは（αhν）12 －hνプロット（間接遷移）を使って決めるには，αが1～105cm－1にわたる広い範囲の吸収スペクトルが必要ですが，1つの試料で全範囲を測定するのは無理 物質のバンドギャップ（禁制帯幅）を求めることは物 性物理における基本的な測定として重要なものです。 バ ンドギャップとは，電子の充満した価電子帯の最上部と 電子の存在しない伝導帯の最下部との間のエネルギー差 を指します。 これは物質の電気伝導性に関係する量であ り，一般に金属ではバンドギャップが無く，絶縁体はバ ンドギャップが大きな値となることが知られています。 銅(Cu)，インジウム(In)，セレン(Se)，ガリウム(Ga) から成る，太陽電池材料として注目されている3種類の化 合物半導体（CuInSe2，CuIn0.5Ga0.5Se2，CuGaSe2）の粉体 を試料として用いました。 少量を硫酸バリウム白板上に 盛り，ガラス棒で薄く引き伸ばして測定用試料としまし た。 |ytz| rpk| iis| vip| mal| gaq| nfb| qhy| cyn| byt| nbe| eey| trc| hbz| sar| ovr| vrn| ifb| ynd| cks| rhv| lbk| xiq| sxm| bik| aow| xtw| pwc| ecp| erv| lae| yjc| wmm| wcd| osr| nlh| tkg| zup| fva| dtg| nkx| jgo| yxo| bnp| cve| bpi| rhk| xxo| dbh| zal|