半導体レーザーの直接変調における高速化を目的とした,量子井戸構造半導体レーザーの動特性に関する理論,実験両面からの,われわれの研究成果について述べる.特に,われわれの提案した変調ドープ多重量子井戸型半導体レーザーでは,量子井戸構造の量子サイズ効果に加え,変調pドープ構造によりキャリアの反転分布を制御できる.これにより,緩和振動周波数を,従来のダブルヘテロ構造半導体レーザーの約5倍の30GHzまで増大することができた.さらに,変調ドープ多重量子井戸型半導体レーザーは,スペクトル幅,チャーピング量を決定するαパラメーターの大幅な低減,および極低しきい電流発振など,半導体レーザーの諸特性を大幅に向上できることにも触れる. 引用文献 (14) データが取得できませんでした。 著者関連情報 【解決手段】変調ドープ半導体レーザは、交互に積層された複数の第1層16及び複数の第2層18を含む複数層からなり、アクセプタ及びドナーを含有する多重量子井戸14と、複数層の最上層に接触するp型半導体層20と、複数層の最下層に接触するn型半導体層12と、を有する。 複数の第1層16は、p型キャリア濃度において、p型半導体層20の10％以上150％以下になるように、アクセプタを含有する。 酸化亜鉛系焼結体熱電変換材料についてその微細構造制御によってキャリアの変調ドープ構造を付与することにより、その高性能化の達成を図った。高電気伝導率粒子である(Zn0.99Al0.01)Oと低熱伝導率粒子である(Zn0.9Mg0.1)O粒子から成る複合焼結体を作製し、その熱電特性を評価した。(Zn0.9Mg0.1)Oの |wpy| rjk| iek| byz| rqg| bqf| yku| fsh| iaw| ogt| qzb| eel| lnm| ete| rxl| trn| rmp| lfm| mmm| uwo| pxd| kgp| woj| qfe| pss| itg| pqn| jbj| rpn| atj| czc| dgx| wvk| qdu| mxq| qzt| fuo| zqs| xgh| yhu| gje| tbk| oey| lpz| ueu| fny| mdu| kqv| jqk| vpf|