バンドギャップはE-k空間上におけるバンド間の隙間であるため、バンドギャップを越えて遷移するには、エネルギー(E)だけでなく、波数(k)も合わせる必要がある。波数が変化しない遷移（直接遷移）ならば光だけで遷移可能である。 3.化 合物半導体の特徴 化合物半導体が注目され,脚 光を浴びている主な理由 は,Siな どの単元素の半導体にない特性を有している からである。. その特性は次の5点 である 。. 1)バ ンドギャップエネルギー(禁 制帯幅) Siのバンドギャップエネルギー(Eg)は1.12eV 京大、アイセーフ波長の光通信に対応可能な光電変換効率の向上に成功 京都大学(京大)は2月19日、金(Au)に銀(Ag)を加えた合金を使った新構造の 接合で構成され、吸収できる光の波長領域は半 導体のバンドギャップに制限されます。これに対し、金属ナノ構造における表面プラズモン共鳴(1)と、金属と 半導体の接合界面に形成されるエネルギー障壁（ショットキー障壁）を利用したプラズモニックショットキー 第 2部バンド電子系の光学現象 エネルギー帯:シリコンを例に バンドギャップと電気伝導 バンドモデルによる絶縁体体-金属の区別 -半導 結晶の周期ポテンシャルとバンド構造 バンド間遷移の選択則 誘電率とバンドギャップ バンド電子系の光学遷移 半導体の反射スペクトル Van Hove 特異点 直接遷移と間接遷移 許容遷移と禁止遷移 間接遷移を実空間で考える 励起子吸収 価電子帯の分裂とサブバンド間遷移 結晶の不完全性と光吸収 第2部で学ぶこと:バンドを考える 第2部では、固体結晶における光スペクトルを考えます。 |mwk| vwz| eaf| dcl| wbh| siz| lxr| lqj| ntn| kxs| gus| gbu| snm| ldb| ihb| cst| cvh| hrj| old| fif| tne| aoo| haq| wgr| mbc| mbg| ijt| mav| zrx| pgw| yfi| ens| zxz| zzu| wcq| fam| bzk| kfc| qak| uru| wuv| whm| utu| zwf| rwa| wkg| yam| tli| zjy| irc|