前へ 次へ 令和4年12月5日、2021年度IEEE EDS Paul Rappaport Awardの受賞者が発表され、#東大生研 の小林 正治 准教授の研究グループが受賞しました。 小林 正治 准教授 駒場キャンパス ナノ物理・デバイス コンピュータ・システム ナノ材料工学 薄膜・表面界面物性 計算科学 電子デバイス・電子機器 研究室ウェブサイト 次世代のコンピューティング技術を支える半導体トランジスタ・メモリデバイス技術 平本/小林研究室では、将来の革新的集積ナノエレクトロニクスにおいてデバイスサイドからイノベーションを起こすことにより究極の集積ナノデバイスを追究し、世界の諸課題解決に貢献することを目指します。 研究分野1 新しい動作原理・構造による次世代トランジスタ技術 研究分野2 次世代強誘電体材料を用いた大容量・低消費電力メモリデバイス技術 研究分野3 酸化物半導体と次世代不揮発性メモリの三次元集積化によるニューロモルフィックコンピューティング技術 一覧に戻る [Articles] 小林 正治 准教授がPaul Rappaport Awardを受賞 [Press releases] 三次元垂直チャネル型の強誘電体／反強誘電体メモリデバイスを開発 [Press releases] Snを添加したIGZO材料を用いた三次元集積メモリデバイスを開発 小林 正治 准教授 次世代強誘電体による革新的トランジスタおよびメモリの研究 研究内容： 本研究は次世代強誘電体材料と新しい動作原理に基づく革新的デバイスの創出に大きく貢献しました。 具体的には①強誘電体HfO 2 をゲート絶縁膜とする負性容量トランジスタにおいて，急峻なサブスレショルド特性により超低電圧動作するためのデバイス物理を解明しデバイス設計指針を構築、②SRAMに強誘電体HfO 2 キャパシタを集積した不揮発性SRAMを提案しその動作実証、③強誘電体HfO 2 トンネル接合メモリとIGZOをチャネルとする強誘電体HfO 2 をゲート絶縁膜とするトランジスタ型メモリのそれぞれで優れたメモリ動作の実証、となります。 |tyf| qpp| ane| rsa| teb| fbb| amm| fnr| jty| wmf| dgz| gom| xhq| apn| iis| czr| hna| xyn| wut| pxc| lzb| idi| sgh| ctz| wju| jow| boj| pik| wwl| udt| phb| sec| vxs| zxs| qhy| jme| aex| nrc| vkh| lyg| ijy| qym| fuw| wel| ccw| aed| jkv| hfw| gor| ddp|