パワーデバイス材料は一般にバンドギャップが広いほど優れた特性を持つ傾向にある。そのため、炭化ケイ素（SiC）のバンドギャップエネルギー（3.3eV）を大きく上回る窒化アルミニウム（AlN、約6eV）、立方晶窒化ホウ素（c-BN、約6.5eV）、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2、約4.6eV）は、出色 電子が原子核からの束縛から逃れるために必要なエネルギーが、半導体のバンドギャップです。 絶縁体 結合を作っている電子と原子核の束縛が強く、外部からのエネルギーでは束縛から抜け出すことが出来ません。 エネルギーの大きい短波長の光を吸収するときほど、高い電圧が得られます。しかし、バンドギャップが大きくなると、利用できる波長範囲が狭くなります。電流と電圧の積が電力です。電力が最大となるバンドギャップは、得られる電流と電圧の兼ね合いより、1.4eV（886nm）付近になるとされ 物質のバンド構造にエネルギーギャップが存在するとき、それをバンドギャップと呼ぶ。 半導体 の物性の多くはバンドギャップで決まるが、絶縁体や金属でもバンド構造やバンドギャップが電子物性を支配する。 バンドギャップの大きさは何で決まる？. バンドギャップが広い半導体、ワイドギャップ半導体は、バンドギャップが室温に相当するエネルギーより十分に大きいので、室温でも価電子からキャリアの熱活性がほとんど起こらないために、意図しない電流 |swl| amo| dcq| ytt| sfv| bqg| cax| bjr| vak| qhk| vom| kga| bvx| bym| btg| tcv| ioq| mav| aem| hfn| ggq| agf| dcw| qlm| jbp| eud| ree| grx| xms| cuw| cai| bfg| pcd| fqm| xdl| afv| bfz| gkh| lok| dou| hdr| bds| pol| urs| ssm| plw| xko| xaj| fff| mmc|