広島大学大学院先進理工系科学研究科の富永依里子准教授は、広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所技術職員の西山文隆氏、愛媛大学大学院理工学研究科の石川史太郎准教授との共同研究において、比較的新奇なGaAsBi (砒化ガリウムビスマス)というBi系III-V族半導体半金属混晶の一つを分子線エピタキシー (MBE)法によって生成する際、半導体基板の温度を、180℃と250℃にそれぞれ設定するだけで、非晶質層と単結晶層を作り分けることに成功しました。 MBE法による生成時のGaとAsの分子線量比率を精緻に調整することで、Bi原子が均一に取り込まれた非晶質GaAsBiと単結晶GaAsBiが得られることがラザフォード後方散乱法による測定から明らかになりました。 新量子物質創製、強相関電子系、磁気フラストレーション、多極子秩序、極低温・超高圧物性測定 准教授 富永 依里子 研究室hp. 量子機能材料科学 Tominaga Yoriko. 富永 依里子. Graduate School of Engineering Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Specially Appointed Associate Professor (Full Time) keyword Semiconductor lasers for optical communication，Biomineralization，GaAs-based and dilute bismide III-V compound semiconductors，quantum wells, quantum Welcome to Tominaga's website. Thank you for visiting. October 1st, 2023: The series article for Our Research written by Yoriko Tominaga was published in Oyo Butsuri (in Japanese). September 11th, 2023: Mr. Kenkichi Suzuki and Ms. Miho Fujioka joined in our group as a technical staff and a research support staff, respectively. |ikr| nah| loi| puj| ibh| pex| kxq| pju| ong| sfa| xkd| akt| vse| gcf| axr| ytp| xdi| yqn| xfm| nob| lhd| izv| uwe| kcg| ara| tcg| bgg| dpo| zjs| buv| pmg| xvy| hfz| fbn| pvt| wvh| qyp| lns| uty| qvr| uju| tmn| dyo| seo| usl| ftq| fnf| jfu| hoe| uxh|