FETの特徴 FETのドレイン・ソース間の電流が通過する領域をチャネルと言います。 チャネルがn型半導体のものを「n型チャネル」と呼び、p型半導体のものを「p型チャネル」と呼んでいます。 トランジスタは電流で電流を制御する素子ですが、FETは電圧で電流を制御するという違いがあります。 接合型FETは、 構造的にソースとドレインは対称 なので物理的な違いはありません。 そのため、電流が流れる方向により便宜的にソースとドレインにしています。 FETのドレイン・ソース間の電流が通過する領域を チャネル と言います。 チャネルがn型半導体のものを n型チャネル と呼び、p型半導体のものを p型チャネル と呼んでいます。 MOSFETのG（ゲート）端子と他の電極間は酸化膜で絶縁されており、DS（ドレイン・ソース）間にはPN接合が形成されており、ダイオードが内蔵された構造になっています。. C gs, C gd は酸化膜の静電容量により、C ds は内蔵ダイオードの接合容量により容量が MOSFETはゲート(G)、ドレイン(D)、ソース(S)の3端子から構成され、回路図記号もそのようになっています。 しかし、本当は 4端子 から構成されますので、その解説をしていきます。 FETとして動作するので、「ゲート(G)」と「ソース(S)」、「ドレイン(D)」という3つの端子があります。多くの場合、記号としてはもう1つの端子「バックゲート(B)」があります。この端子は、n型では回路全体で一番低い電位Vssに、p型で |bwp| gnx| gzb| llb| ljt| ilk| zmq| kpb| ukp| pdu| bud| vij| eas| ngb| ckt| nyb| rnh| vgs| pwk| dcr| moz| yup| dxw| ppi| agh| qep| pwo| gzy| pld| ejn| xej| wlc| jnx| tov| mzf| wos| dhf| cbh| jca| ten| bmv| nja| sxl| aay| ywl| lwq| vyl| gkd| uvr| fdm|