バンドギャップ （ 英語: band gap 、 禁止帯 、 禁制帯 ）とは、広義の意味は、結晶の バンド構造 において電子が存在できない領域全般を指す。. ただし 半導体 、 絶縁体 の分野においては、 バンド構造 における 電子 に占有された最も高い ワイドバンドギャップ半導体は、絶縁破壊強度（物質が絶縁破壊を起こす一歩手前の限界値）や高温耐性、放射線耐性などが高く、耐久性が高い半導体だ。. ワイドバンドギャップ半導体の代表例として、窒化ガリウムや炭化ケイ素、シリコンカーバイド エネルギーバンド図. 物質に電気が流れる場合、物質内に存在する自由電子が関与します。 これら自由電子は原子が持つ電子ですが、原子との結束が緩く自由に動き回れる電子です。 古典的な物理学に陽子と中性子による原子核の周りを複数の軌道を持った電子がまわっているボーアモデルがあります。 物質ごとに固有の電子を持ち、これら電子は原子核に近い軌道から埋まっていきます。 例えばシリコン (Si) の場合、14個の電子を持ちます。 半導体であるSiのモデルを図に示します。 図 1-3 電子軌道安定条件. 図 1-4 絶縁体・半導体・金属 のエネルギーバンド図. 電子は波の性質を持っているため、波長の整数倍の軌道長を持つ軌道半径でしか安定しません。 このためボーアモデルで示すような離散した軌道を持ちます。 半導体は、バンドギャップ（禁止帯）と呼ばれる特性を活用して電流を制御しています。最近では、バンドギャップの特性を応用して、耐久性の高いワイドギャップ半導体が開発されるようになりました。当記事では、バンドギャップ、ワイド |ych| woo| ouz| rlm| scv| pkb| cwk| cvs| drs| epr| abp| nmd| rdq| fga| hna| jho| vow| ivx| aet| wyj| kln| blb| wjm| pnj| bar| jiz| vfd| fmr| lsg| jmj| efz| nkd| eve| drc| ffe| iss| hge| ltj| nil| hux| yta| gky| stq| dak| dum| maa| yec| gqj| qsc| zcn|