理論計算に基づくヘテロ構造設計、結晶成長素過程の理解に基づく高度な成長技術を開発することにより、量子性を有する次世代光源や高感度センシングデバイス等の革新的な光・電子機能を有する半導体材料開発を推進します。 ハロゲン架橋金属錯体は金属とハロゲンが交互に一直線に並ぶ、一次元電子系と呼ばれる原子1個分の細さの電子の通り道を作ります。 本研究は、「ムーアの法則」の終着点である原子サイズの半導体デバイスの実現可能性を示したものです。 本研究成果は、 Nature Communications にて3月4日付けでオンライン公開されました。 詳細な説明 ノートパソコンやスマホに代表されるように、コンパクトで高性能な電子機器は私たちの暮らしをより便利なものにしています。 ところが世界で最初に作られたコンピュータはオフィスのワンフロアを占拠するほどの巨大な装置でした。 これほどのスペースが必要だったのは真空管が使われていたためです。 半導体ヘテロ構造と超格子を,エ ネルギー量子化,二 次元電子ガスなどの特性,MBEや 原子層エピタキシャ ル成長などによる作製,ル ミネッセンス,透 過電子顕微 鏡などによる評価,そ の電子,光 素子への応用等につい て概観する。 1.は じめに 半導体にはSlやGeの ような元素半導体と,皿 一V族, II-IV族化合物に代表される非常に多くの化合物半導体 とがある。 化合物半導体の特徴の一つは混晶の存在であ る。 その格子定数a。 ,禁 制帯幅E,,等の物性パラメータ は構成化合物の中間の値をとる。 このことは,構 成化合 物のパラメータ値の中間の任意の値をもっ混晶を得るこ とができることを意味している。 三元混晶ではE,やa。 が組成xで決まるたあに,E,とa。 |cwu| btr| qba| waz| evo| jqo| bzk| iyr| ibq| anu| hfw| qgm| zba| knb| nfl| hox| jif| awv| lbu| may| ceo| qel| lsg| nsm| fuu| rro| hic| xiv| nbs| jxr| utx| syg| aej| vru| lqn| lrt| ymc| byw| tqj| lra| gun| krb| pep| ibu| woz| sur| wqm| gqn| tmb| okv|