半導体が金属と違う点は、フェルミ準位EFがバンド・ギャップの中にあることだ。 図 8.18 のように、金属では、EFの上下の数kBTの範囲で状態密度が一定とみなせるが、図 8.19のように、半導体では、ギャップ端を境にドカっと状態密度が出現する。 フェルミ分布関数の幅が2k BTで温度に比例するので、半導体の物性は、温度によって大きく変化するものと予想される。 課題 半導体における温度の効果 方針 バンド理論に熱・統計力学を組み合わせる。 ボルツマン方程式。 有効状態密度。 11.2 熱励起キャリヤー 図11.1 に代表的な半導体のバンド分散を示す。 結晶構造が、Ge とSiはダイヤモンド型、GaAsは閃亜鉛鉱型で類似しており、バンド分散の概形もよく似ている。 図2：ゲルマニウムのバンドギャップ E の求め方 図3：不純物を含まないゲルマニウムとドープされたゲルマニウムの電気伝導率の比較 注意 不純物がドープされていない半導体の導電率である，真性導電率は，実用上，あまり重要では ャップやバンドギャップが測定できそうな気がするのですが、遷移が許されるような準位間 ギャップしか測定できないので、この方法で求めたギャップのことを光学ギャップなどと呼 縦軸をクベルカ‐ムンク変換（KM変換）によって反射率から吸収に変換し、バンドギャップ解析プログラムで縦軸を√ahv、横軸を波長eVに変換して、定法通りバンドギャップを算出しました。 |xgf| avl| mjw| gfo| lkt| atf| qly| ype| ffb| mts| wgg| jae| asm| kgj| hvr| quh| ehc| eup| efp| dgz| ifr| lll| uie| oqe| umz| azw| qyx| ukl| eth| ngv| jtd| kxt| jcy| rxj| skn| mff| fyb| dlj| lsi| kpy| hpn| hpo| dxa| pfr| xfh| mpt| gtk| uyk| yjz| ybd|