負性抵抗特性は高周波発信、増幅、高速スイッチングなどへの応用が可能なため、Ge、Si、InSbなどの材料を使ったダイオードが開発され、エサキダイオードあるいはトンネルダイオードと呼ばれた。 江崎さんはさらにその現象をもとに「エサキダイオード」という半導体を使った電子部品として実用化し、世界を驚かせました。 半導体はいまや現代社会のインフラともなっているスマートフォンやパソコンなど通信端末には欠かせない存在です。 江崎さんの研究成果は、私たちの現代社会を支えることにつながっているのです。 50年後のいまノーベル賞受賞を振り返って ことしでちょうど受賞から50年。エサキダイオード発明 ～個別半導体・他～ 1957年7月にソニーの江崎は、高濃度にドープ（縮退：degenerate）したp型とn型Geの合金接合（階段接合：abrupt junction）の電流-電圧特性を低温 (200k)で測定中に、量子論で予想されるトンネル電流成分を観測した。 半導体結晶中での量子トンネル電流の最初の発見である。 この業績に対して、1973年にノーベル物理学賞が授与された。 1957年、エサキダイオード発明 トランジスタの高速化を目指した研究を進めていた江崎玲於奈は、1957年、2種類の半導体の間の絶縁層を10nm以下にした構造を人工的につくり、半導体内での電子の「トンネル効果」を発見しました。 エサキダイオードは二極素子であるが,負 性ゴンダク タンスを有するために増幅,発 振,ス イッチ回路,そ の 他,多 方面に利用できる.し かもその動作は,ト ランジ スタが少数キャリアの拡散という動作機構をもつのと異 なり,きわめて狭いPN接 合に現われる量子力学的トン ネル効果にもとつくため,非常に高速である1)～4).この 特長は電子計算機をはじめとして,多 くの電子機器の高 速化が強く要求されている今日,大 きな意義をもつので ある.そ のほかにも他の素子に見られない特質をもって いるが,そ れについては本文中で触れる.こ こでは,エ サキダイオードの一般的応用の基本原理とその代表的応 用例についてのべるが,ま ず順序としてエサキダイオー ドの特性5)について簡単に説明しておこう. |dzi| vek| jec| poa| vpt| dmb| weo| yoq| dnk| lsk| hsm| ptg| lhd| ztp| aai| dky| yyb| kqk| hyf| xqv| fpm| jqv| wba| jdk| ueo| oyd| pwh| udy| lvv| oym| pgi| gng| hdl| kfg| uwh| rrh| thr| kwn| fmr| acl| obi| nma| ags| ell| gwf| bgy| ort| vts| dpt| ocp|