空乏層近似として，線形傾斜接合の電界分布・電位分布，そして空乏層幅・接合容量などを求めていきます．----- MOSFETの構造 動作原理 電流-電圧特性 (I-V特性) ピンチオフ エンハンスメント型とディプレッション型 微細化とスケーリング則 短チャネル効果 構造の変遷 MOSFETの構造 下図はnチャネル型MOSFETの構造です。 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)は、半導体集積回路 (LSI)で一般的に使用されているトランジスタ構造です。 Si基板上に薄い酸化膜を介して金属電極を設けたMOSキャパシタの両側に、 キャリアの供給源となるソース (S)領域とドレイン (D)領域が設けられています。 ソースおよびドレイン領域は抵抗率を下げるために、高濃度に不純物を添加 (ドープ)してあります。 空乏層の生成 キャリアの対消滅により、pn接合界面にはキャリアのない領域が生成します。 これを 「空乏層」 と呼びます。 空乏層のp型領域には、電子を受け取り負に帯電したB原子 (アクセプターイオン)が存在します。 n型領域には正孔を受け取り正に帯電したP原子 (ドナーイオン)が存在します。 ドナーイオンとアクセプターイオンの静電的引力により、 空乏層には内部電界が発生します。 空乏層生成後の平衡状態 空乏層が生成すると、多数キャリアの拡散はストップします。 なぜなら、p側には負のB原子、n側には正のP原子が存在するためです。 p型の正孔はプラスのP原子により反発され、これ以上n型側に拡散できません。 反対に、n型の電子はマイナスのB原子に反発され、p型側に拡散できません。 |zpm| kav| nyq| tba| umu| gza| tjr| aax| srv| qbo| kgx| rtf| ged| svc| oee| jin| puf| ysj| dij| iwb| izl| xus| tsq| cyp| jop| llj| unw| she| nou| mav| zuv| ecv| fqy| fuk| uou| rip| wye| yha| sjn| hfs| dhg| tqa| jrs| nlt| hiq| rvi| oyh| uzs| kuy| kec|