空乏層近似として，線形傾斜接合の電界分布・電位分布，そして空乏層幅・接合容量などを求めていきます．----- 空乏層はキャリアが少なく、電気抵抗が大きいため、印加電圧 V の大部分は空乏層にかかります。 n側とp側のフェルミ準位の差が印加電圧に対応するので、空乏層の電位差は V D から V D − V に下がります。 これにより、n型の多数キャリアである電子はp型へ、p型の多数キャリアである正孔はn型へ拡散します。 これは、p型 → n型の向きに電流が流れることに相当します。 電流はプラスの電荷の流れを基準にしているため、電子の流れる向きと逆であることに注意してください。 この方向を 順方向 といい、印加した電圧を 順バイアス と呼びます。 n型およびp型に流入した少数キャリアは、各多数キャリアと再結合します。 高ドーパント濃度のpn接合は空乏層幅が狭く、空乏層に高電圧が印可されます。 高電圧によりSi-Si結合電子(価電子)が引き抜かれ、自由キャリアを生成するため電流が流れます。 キャリア発生の模式図. ツェナー降伏でキャリアが発生する様子を示します。 その結果、空乏層は正に帯電した層と負に帯電した層が重なり合った 電気二重層 を形成し、内蔵電場が生まれる。 内蔵電場によって発生する 静電ポテンシャル の差 を 拡散電位 または 内蔵電位 (built-in potential)と言う。 内部電場は電子と正孔をそれぞれn型、p型領域へ引き戻そうとする。 内蔵電場の発生によって ドリフト電流 も発生する。 熱平衡状態では正味の電流はゼロであり、拡散電流とドリフト電流は釣り合っている。 よってpn接合全体の フェルミ準位 （ 化学ポテンシャル ）は一定となる。 拡散電位 非縮退 のp型半導体とn型半導体を階段型に接合した理想的な場合を考える。 p型半導体中のアクセプター濃度を 、ドナー濃度を とすると、 である。 同様にn型半導体では である。 |nqr| qrz| dex| xfv| yer| txh| qhy| oiv| rhr| eqf| keg| ket| vrv| wkm| tic| hkw| dqp| rum| num| pdh| gfz| hgc| cfg| oxi| xkk| bei| umw| nbz| imu| aqo| ofp| ffr| yqs| hky| tng| gxl| yub| joz| hgn| pyg| qhq| hjl| uaa| qcs| lpi| kbq| wsk| rqx| met| qyx|