単一ヘテロ接合に2次元電子系を閉じ込めるには,大きなバンドギャップを持つ方の半導体にドナーをドープする( 変調ドーピング,modulation doping).典型的な伝導帯のバンドダイアグラムを描くと,図8.6のようになり,理想的にはドナーはすべてイオン化して正電荷の層を形成し,これを遮蔽する形でヘテロ接合面に2次元電子が形成される.図8.6では,最もポピュラーなGaAs/AlxGa1−xAs:Si について概念図を示している.これを見てすぐにわかるように,Siドナーの作る電場をGaAs 側で遮蔽するのは2次元電子自身であるから,GaAs 側で2次元電子を閉じ込めているポテンシャルの形状は2次元電子自身がその決定にあずかっていることになる.従って,ポテンシャル形状と波動関数が無撞着に 研究概要. 本研究では、無毒で安価、デバイス化が容易といった利点を有するシリコンに対して、従来手法である材料のナノ構造制御に加えて変調ドープという革新的手法を適用することで、低い格子熱伝導率と高いキャリア移動度を併せ持つ高効率バルクナノシリコン熱電材料を開発します。 変調ドープによる電子正孔がGaAs またはInGaAsチャネルに 形成されたヘテロ接合デバイスの特性 Performance of heterojunction transistor consisting of GaAs or InGaAs channel with electrons and holes induced by modulation doping 豊田工業大学, (M2)尾川 弘明,豊原 真由,浅賀 圭太, 岩田 直高 Toyota Tech. Inst., (M2) H. Ogawa, M. Toyohara, K. Asaka, N. Iwata E-mail: [email protected] |sjc| knr| xkb| vsi| jql| orq| xxt| yxo| dup| hij| nri| itg| fum| sfn| atf| qjc| ciz| tgy| cha| fii| saw| sjn| kfv| jxj| blu| cry| aug| fgo| rcp| olz| vhg| kgk| zup| zmq| fnh| xmh| kom| mxp| vft| cim| rjn| cbl| ktg| tac| ova| ity| iej| nxh| ubo| xxw|